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晶振DLD2值过高的原因‍‍‍‍‍
来源:欧宝体育手机版app官网    发布时间:2023-07-09 11:05:46
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  鼓励功率的改变会引起晶体频率和谐振阻抗的改变,S&A250B测验数据中的DLD2指的是:不同鼓励电平下的负载谐振

  假如鼓励功率过大或许损坏晶体的内部机理,引起振动频率反常、安稳度下降、频率失真、晶片破损等现象,更为严重的导致电极受损。

  在电路设计时,KOAN小妹建议您承认所运用的鼓励等级绝对不超越最大鼓励等级。假如鼓励功率过低,也会带来DLD问题或许不起振。

  除电路设计的要素,晶振制造进程中残留应力和制造污染也会形成DLD2值高。《晶振的制造进程》中,第七步“晶振焊封”中:无源谐振器真空密封/充氮气;有源晶振还需求参加芯片,用金线与底座各引脚衔接,最后用真空密封/充氮气。

  在没有真空的情况下,晶振内部存有少数水蒸气,在低温环境下会凝结成水滴附着于晶片外表。晶振内部充氮气优于仅抽真空。氮气是防止内部金属氧化,例如电极等,以进一步提高晶振的安稳性。

  ,再运用探测器丈量偏压,此探测器应与集成电路输出端子相连。就会发现,偏压简直与VDD相同,可是正常情况下,偏压应为VDD/

  晶体通过热测验的情况下,请查看振动电路和其他元件的特性,如外部电容的温度

  的了解,总结出以下几点的保存办法:1.要考虑到周围的潮湿度.得做好防揉捏办法,放在枯燥通风的当地,让晶体防止受潮导致其他参数发生改变.

  为真空室不洁净和镀膜速率不合适。4) 装架是电极接触不良;5) 支架、电极和石英片之间存在机械应力。4.16

  怎么处理这个问题 /

  不良、阻抗过大、频率不良、晶体牵引力缺乏或过大。 与电路有关:其他元件不良;负载电容或电路设计或加工形成的杂散电容离散度大;晶体两头电压缺乏;电路静态作业点有问题。

  就在于单片机能否正常作业的必要条件之一便是时钟电路,所以单片机就很需求

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