科创板日报6月26日讯，村田制造所方案到2028年，对日本金泽村田制造所及仙台村田制造所、芬兰子公司算计出资约100亿日元（约合5亿元人民币），将硅电容器产能进步至现在的3倍水平
现在，硅电容器的使用仅限于医疗设备，但未来有望扩展到智能手机和服务器等使用，村田制造所期望经过出资和增产及时捕获更多市场需求。
据了解，硅电容器选用半导体制造工艺制造，其介电层为稳定性更好的硅资料。与当时的干流电容器比较，硅电容器有着更好的电容密度、可靠性、高频特性等优势，老化时刻可长达 10 年，其额外温度乃至可高达 250℃，在恶劣环境下有着更好的体现。
不过，现在硅电容器的价格是一般MLCC的几十倍，因而其使用规模集中于高附加值、对成本不灵敏的顶级医疗设备等范畴。但考虑到硅电容器在轻浮方面的优势，关于内部空间越来越绰绰有余的智能手机而言，硅电容器也是适当不错的挑选。村田制造所的硅电容器厚度可低至 0.05 毫米。
本年3月，村田制造所曾宣告将于2024年之前向法国子公司出资约5000万欧元（当时约3.92亿元人民币）以添加硅电容器的产能。此次村田制造所的出资方案，将在两家日本工厂和芬兰子公司树立相同的出产体系，以完成全球化的硅电容器供给。
