按片内Flash的巨细可分为三大类：小容量（16K和32K）、中容量（64K和128K）、大容量（256K、384K和512K）。

　　在实践的产品运用过程中假如呈现内置RAM呈现缺乏的情况下，挑选外扩ram是大部分工程师的首选，当然这款MCU是支撑外扩内存的，外扩的存储器可挑选SDRAM ，FLASH，SRAM芯片等。

　　SDRAM及FLASH的外扩相对来说较为简略，假如想外扩SRAM芯片的话，现在干流的方法是经过并口接口来外扩SRAM芯片的，可是并口SRAM芯片占用了过多的I/O口，关于管脚有限的产品运用规划提出了考虑运用用SPI接口或许QPI接口外扩SOP-8封装的SRAM芯片，能够起到节约管脚的效果，然后完成SRAM芯片的扩展。

　　VTI7064存储器能够完成单线线的方法操作SRAM。速度在20MHz~200MHz之间，挑选功耗更低的SPI SRAM，更有利在规划产品上做到功耗的削减， 本钱上也要比6晶体的SRAM有优势得多，容量一般在 16Mb，32Mb，64Mb。SPI SRAM也因为本钱及接口的长处被许多MCU的厂家认可及支撑。

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　　更快，不必改写实践操作。 在一些运用中假如遇到数据需求扩容的情况下，需求外

　　，简略且不简略消除积极性，许多人都是在积极性衰退之后就会功败垂成，等了解了LED、串口、

　　项目作为自己的毕业规划，比较合适自动化、通讯、电器、还有物联网的同学；因为较多同学向学长问询和咨询

　　的方法来扩展。这时能够选用VTI7064MSME来扩展MCU。   因为

　　F103ZET6Flash类型：W25Q64第二步：装备相关的宏/**************************

　　EMI504HL08WM-55I可兼容IS61WV25616EDBLL-8BLI

　　在运用的过程中假如呈现内置RAM缺乏的情况下，一般能够挑选外置RAM作为缓存的扩大，在实践的运用规划，因为内置RAM不够用而需求外

　　依据本身的ROM(Flash)能够分为小容量产品、中容量产品、大容量产品依据FLASH容量能够分为：小容量：0-32K中容量：64-128K

　　能，而不论代码是从嵌入式闪存仍是由外部存储器履行的：1082 CoreMark / 462 DMIPS在216 MHz f CPU。带有新外围设备的智能架构。可

　　由4根线组成，SCK,MISO(SDI),MOSI(SDO),SS(CS)，其间

　　怎么样？“ 武汉华嵌科技的工程师给咱们定心丸：“不论C51有没有落后，学习51都是值得的，不会糟蹋你的时刻和精力，反而能加速后边学习

　　的时分，咱们学习的都是汇编指令，再到后来学习了C言语，用C言语替代汇编指令来开发编程

　　规划总结文档，是一份不错的参考资料，感兴趣的能够下载看看，，，，，，，，，，，，，，，，，

　　微型计算机，和集CPU、RAM、ROM、输入输出设备、中止体系在同一个

　　本运用笔记供给了规划思路和源代码，以便利规划人员进行Microchip中档

　　串行 EEPROM 器材之间的通讯规划。主控同步串口模块（MSSP）上

　　扩展内存与给PC扩展内存的原理是相同的，仅仅PC上一般以内存条的方式扩展，内存条本质是由多个内存颗粒（即

　　能，而不论代码是从嵌入式闪存仍是由外部存储器履行的：1082 CoreMark / 462 DMIPS在216 MHz f CPU。带有新外围设备的智能架构。可

　　的详细差异却不知道了，有些人觉得没必要，可是我个人认为只要在你搞懂了其间的差异之后关于其本身学习是有极大的优点的。

　　ZLG7289进行键盘办理，其外围电路规划简略，运用便利，办理按键多。这种键盘规划占用I／O口资源少，运用广泛。文中给出了体系硬件电路规划图、软件流程图以及仿线

　　与ISD4003的衔接及操控，外围电路的规划。语音分段录放以及随即组合放音。串行外围设备

　　C8051F020 扩展大容量数据存储器的规划计划，并给出来软件流程图和示例。该计划充沛