每个模块都单独的屏蔽设计, 背板也进行了屏蔽设计｡ 但是在进行辐射发射测试时, 发现辐射发射测试超标。超标频点是350MHz, 测试频谱图如图所示：

　　图中粗折线为标准限值曲线，用近场探头做定位测试,最终确认是其中一模块与背板之间的接插处辐射泄漏导致, 该频率点的源头是模块内部PCB中的50MHz（其7次谐波为350MHz）晶振。

　　既然子模块和背板都有一定的屏蔽设计，那为什么还会有辐射泄露出来呢？下面咱们进行详细分析。

　　据了解，该产品由于工作在室外，所以要进行防水处理，本产品采用橡胶垫圈将子模块和背板之间的连接处进行密封。

　　由于防水垫圈是非导电的, 因此存在屏蔽的 “缝隙”，这将很可能成为辐射的漏洞｡

　　拆下子模块后, 给模块单独上电, 用近场探头对其来测试, 发现该模块与背板的连接器处有350MHz频点的辐射，这和我们测试的辐射发射超标点相吻合，因此证明了该辐射频点来自于和背板相连的连接器处｡

　　上图为子模块的PCB布局图，图中无阻焊层大多数都用在焊接屏蔽罩，能够正常的看到，连接器在屏蔽罩内部，晶振位于屏蔽罩外部。

　　所以晶振外壳不可能直接通过空间辐射影响连接器，因为辐射路径已经被屏蔽罩隔绝, 唯一辐射的可能是连接器中的信号线, 有很大的可能性耦合到了来自晶振或时钟信号线的噪声, 这些信号线相当于成为被噪声驱动的辐射天线｡

　　完整的地平面可以为晶振及相关电路内部产生的共模提供通路，从而使RF发射最小。

　　这不仅会破坏晶振下方完整的地平面，而且必然会将50MHz晶振产生的噪声通过容性耦合的方式耦合到穿过它下面的信号线，从而使得这些信号线带有共模电压噪声，而这些信号线又延伸出了PCB上的屏蔽体，这样会将噪声带出屏蔽体。

　　可见，形成辐射的两个必要条件已形成了，即驱动源和天线，辐射自然也就产生。

　　为解决以上的辐射问题， 通过对上面辐射的缘由分析，能够使用以下几种方法：

　　电源引脚，按电源流入方向，依容值从大到小顺序摆放，晶振位置尽量靠近MCU。走线应尽量短，线mil以上，以减少噪声干扰及分布电容对晶振的影响。

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