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　　2、摘要 本发明实施例公开了一种恒温晶体振荡器。 该恒温晶体振荡器包括： 振荡器本体电路、 振荡 器输出引脚以及第一真空密闭金属腔， 振荡器本 体电路与第一振荡器输出引脚电连接； 振荡器本 体电路设置于第一真空密闭金属腔内部， 第一振 荡器输出引脚由第一真空密闭金属腔内部延伸 至第一真空密闭金属腔外部； 其中， 第一真空密 闭金属腔包括第一金属外壳以及第一金属底座， 第一金属外壳以及第一金属底座通过电阻焊真 空封壳的方式形成第一真空密闭金属腔， 以使振 荡器本体电路处于真空环境中。 该恒温晶体振荡 器通过电阻焊真空封壳的方式形成真空密闭金 属腔， 使热量无法通过空气耗散， 降低恒温所需 的功耗， 。

　　3、保证振荡器的气密性， 增长常规使用的寿命。 权利要求书1页 说明书7页 附图4页 CN 111800106 A 2020.10.20 CN 111800106 A 1.一种恒温晶体振荡器， 其特征是， 包括： 振荡器本体电路、 振荡器输出引脚以及第 一真空密闭金属腔， 振荡器本体电路与第一振荡器输出引脚电连接； 所述振荡器本体电路 设置于所述第一真空密闭金属腔内部， 所述第一振荡器输出引脚由所述第一真空密闭金属 腔内部延伸至所述第一真空密闭金属腔外部； 其中， 所述第一真空密闭金属腔包括第一金属外壳以及第一金属底座， 所述第一金属 外壳以及第一金属底座通过电阻焊真空封壳的方式形成所述第一线、属腔， 以使所 述振荡器本体电路处于真空环境中； 所述第一振荡器输出引脚贯穿所述第一金属底座设置， 所述振荡器本体电路通过与所 述第一振荡器输出引脚相连， 固定设置于所述第一金属底座的上部。 2.依据权利要求1所述的恒温晶体振荡器， 其特征是， 所述振荡器本体电路包括： 晶 体、 PCB电路板以及加热元件； 所述PCB电路板上设置有晶体振荡基础电路和控温基础电路； 所述晶体与所述晶体振荡基础电路电连接形成晶体振荡电路， 所述加热元件与所述控温基 础电路电连接形成控温电路； 所述晶体振荡电路， 用于产生设定频率的振荡信号； 所述控温电路， 用于产生热量以控制所述晶体温度恒定为设定温度值。 3.。

　　5、依据权利要求2所述的恒温晶体振荡器， 其特征是， 所述晶体紧贴于所述PCB电路 板下方设置； 所述加热元件焊接于所述PCB电路板的上方， 与所述晶体正对设置。 4.依据权利要求1所述的恒温晶体振荡器， 其特征是， 所述第一金属外壳与所述第一 金属底座的内壁上镀有热辐射反射材料。 5.依据权利要求4所述的恒温晶体振荡器， 其特征是， 所述热辐射反射材料， 包括下 述其中一项或多项： 铝、 金、 铬、 铂以及红外线任一项所述的恒温晶体振荡器， 其特征是， 还包括： 第二真空密 闭金属腔以及第二振荡器输出引脚； 所述第一真空密闭金属腔设置于所述第二线、属腔的内部； 所述第二振荡器输 出引脚由所述第二真空密闭金属腔内部延伸至所述第二真空密闭金属腔外部； 所述第二振 荡器输出引脚与所述第一振荡器输出引脚对应相连； 其中， 所述第二真空密闭金属腔包括第二金属外壳以及第二金属底座， 所述第二金属 外壳以及第二金属底座通过电阻焊真空封壳的方式形成所述第二真空密闭金属腔， 以使所 述第一真空密闭金属腔处于线所述的恒温晶体振荡器， 其特征是， 所述第二金属外壳与所述第二 金属底座的内壁上镀有热辐射反射材料。 8.依据权利要求7所述的恒温晶体振荡器， 其特征是， 所述热辐射反射材料， 包括下 述其中一项或多项： 铝、 金、。

　　7、 铬、 铂以及红外线所述的恒温晶体振荡器， 其特征是， 还包括： 转换板； 所述转换板， 用于转换所述第一振荡器输出引脚， 以使所述第一振荡器输出引脚与所 述第二振荡器输出引脚对应相连。 权利要求书 1/1 页 2 CN 111800106 A 2 一种恒温晶体振荡器 技术领域 0001 本发明实施例涉及电子元件技术领域， 尤其涉及一种恒温晶体振荡器。 背景技术 0002 随着电子科技技术的加快速度进行发展， 恒温晶体振荡器的应用愈来愈普遍， 例如， 可以应 用在彩电、 计算机、 遥控器等电子设备的振荡电路中。 各种电子设备对恒温晶体振荡器的稳 定功耗要求越来越严格。 。

　　8、0003 现存技术中， 恒温晶体振荡器的结构设计一般会用激光焊接将单层金属外壳与底 座连接。 恒温晶体振荡器通过内部的加热元件产生热量， 使恒温晶体振荡器维持恒定的温 度。 但是， 恒温晶体振荡器内部的热量会通过空气的热对流传导将热量散发至外部环境， 增 大了恒温晶体振荡器恒定温度所需的功耗。 发明内容 0004 本发明实施例提供了一种恒温晶体振荡器， 能够更好的降低恒温所需的功耗， 保证振荡 器的气密性， 增长常规使用的寿命。 0005 本发明实施例提供了一种恒温晶体振荡器， 该恒温晶体振荡器包括： 振荡器本体 电路、 振荡器输出引脚以及第一真空密闭金属腔， 振荡器本体电路与第一振荡器输出引脚 电连接；。

　　9、 所述振荡器本体电路设置于所述第一真空密闭金属腔内部， 所述第一振荡器输出 引脚由所述第一真空密闭金属腔内部延伸至所述第一线 其中， 所述第一真空密闭金属腔包括第一金属外壳以及第一金属底座， 所述第一 金属外壳以及第一金属底座通过电阻焊真空封壳的方式形成所述第一真空密闭金属腔， 以 使所述振荡器本体电路处于线 所述第一振荡器输出引脚贯穿所述第一金属底座设置， 所述振荡器本体电路通过 与所述第一振荡器输出引脚相连， 固定设置于所述第一金属底座的上部。 0008 可选的， 所述振荡器本体电路包括： 晶体、 PCB电路板以及加热元件； 所述PCB电路 。

　　10、板上设置有晶体振荡基础电路和控温基础电路； 所述晶体与所述晶体振荡基础电路电连接 形成晶体振荡电路， 所述加热元件与所述控温基础电路电连接形成控温电路； 0009 所述晶体振荡电路， 用于产生设定频率的振荡信号； 0010 所述控温电路， 用于产生热量以控制所述晶体温度恒定为设定温度值。 0011 可选的， 所述晶体紧贴于所述PCB电路板下方设置； 所述加热元件焊接于所述PCB 电路板的上方， 与所述晶体正对设置。 0012 可选的， 所述第一金属外壳与所述第一金属底座的内壁上镀有热辐射反射材料。 0013 可选的， 所述热辐射反射材料， 包括下述其中一项或多项： 铝、 金、 铬、 铂以及红外。

　　11、 线 可选的， 该恒温晶体振荡器还包括： 第二真空密闭金属腔以及第二振荡器输出引 脚； 说明书 1/7 页 3 CN 111800106 A 3 0015 所述第一真空密闭金属腔设置于所述第二真空密闭金属腔的内部； 所述第二振荡 器输出引脚由所述第二真空密闭金属腔内部延伸至所述第二真空密闭金属腔外部； 所述第 二振荡器输出引脚与所述第一振荡器输出引脚对应相连； 0016 其中， 所述第二真空密闭金属腔包括第二金属外壳以及第二金属底座， 所述第二 金属外壳以及第二金属底座通过电阻焊真空封壳的方式形成所述第二真空密闭金属腔， 以 使所述第一真空密闭金属腔处于线 可选的， 所述第二金属外壳与所述第二金属底座的内壁上镀有热辐射反射材料。 0018 可选的， 所述热辐射反射材料， 包括下述其中一项或多项： 铝、 金、 铬、 铂以及红外 线 可选的， 该恒温晶体振荡器还包括： 转换板； 0020 所述转换板， 用于转换所述第一振荡器输出引脚， 以使所述第一振荡器输出引脚 与所述第二振荡器输出引脚对应相连。 0021 本发明实施例的技术方案， 通过在恒温晶体振荡器中配置振荡器本体电路、 振荡 器输出引脚以及第一真空密闭金属腔， 振荡器本体电路与第一振荡器输出引脚电连接； 振 荡器本体电路设置于第一真空密闭金属腔内部， 第一振荡器输出引脚。

　　13、由第一真空密闭金属 腔内部延伸至第一真空密闭金属腔外部； 其中， 第一真空密闭金属腔包括第一金属外壳以 及第一金属底座， 第一金属外壳以及第一金属底座通过电阻焊真空封壳的方式形成第一真 空密闭金属腔， 以使振荡器本体电路处于真空环境中； 第一振荡器输出引脚贯穿第一金属 底座设置， 振荡器本体电路通过与第一振荡器输出引脚相连， 固定设置于第一金属底座的 上部， 解决了恒温晶体振荡器保持恒温时功耗大的问题， 通过电阻焊真空封壳的方式形成 真空密闭金属腔， 使热量无法通过空气耗散， 实现了降低恒温所需的功耗， 保证振荡器的气 密性， 增长常规使用的寿命的效果。 附图说明 0022 图1是本发明实施例提供的。

　　14、一种恒温晶体振荡器的整体结构示意图； 0023 图2是本发明实施例提供的一种恒温晶体振荡器的分解结构示意图； 0024 图3是本发明实施例提供的又一恒温晶体振荡器的整体结构示意图； 0025 图4是本发明实施例提供的又一恒温晶体振荡器的分解结构示意图。 具体实施方式 0026 下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。 能够理解的是， 此处所描 述的具体实施例仅仅用于解释本发明， 而非对本发明的限定。 另外还需要说明的是， 为了便 于描述， 附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。 0027 图1是本发明实施例提供的一种恒温晶体振荡器的整体结构示意图， 本实施例可 适用于降低恒温晶。

　　15、体振荡器保持恒温时所需功耗的情况， 如图1所示， 该恒温晶体振荡器包 括： 振荡器本体电路(图1中未具体示出)、 振荡器输出引脚110以及第一线， 振荡器本体电路(图1中未具体示出)与第一振荡器输出引脚110电连接； 振荡器本体电 路设置于第一线内部， 第一振荡器输出引脚110由第一线内部延伸至第一线 其中， 振荡器本体电路能是使恒温晶体振荡器工作的电路， 例如可以包括产生 设定频率的振荡信号的晶体振荡电路。 由于晶体振荡器在工作中的频率稳定性。

　　16、与晶体振荡 器所处温度的稳定性紧密关联， 振荡器本体电路还可设为有控温电路， 能保证晶体振 荡器具有恒定的温度。 此外， 振荡器本体电路中还可设为有其他的电路， 例如保护电路 等。 本发明实施例对此不做具体限定。 0029 振荡器本体电路能是由多个电子元器件通过串联和/或并联的方式形成的的电 路。 振荡器本体电路能是集成电路， 可以极大的缩小恒温晶体振荡器的体积， 更利于在电 子设备中应用。 对于一些不限制电子设备体积的情况， 振荡器本体电路能是非集成电路， 本发明实施例不做具体限定。 为了使电路具有规范性、 美观性， 避免电路与恒温晶体振荡器 的第一真空密闭金属腔产生干扰， 可以。

　　17、将振荡器本体电路设置于电路板上， 例如， PCB(印制 电路板， Printed Circuit Board)电路板。 0030 振荡器输出引脚可以是恒温晶体振荡器在电子设备中应用时所涉及到的引脚， 例 如， 可以包括电源引脚、 恒温晶体振荡器的输入信号引脚、 以及恒温晶体振荡器的输出信号 引脚等。 能够准确的通过实际的应用场景， 为恒温晶体振荡器设置不一样的振荡器输出引脚， 振荡器 输出引脚可以是与振荡器本体电路存在一定关联性的， 本发明实施例不做具体限定。 0031 为了能够更好的保证恒温晶体振荡器在工作中具有恒定的温度， 在本发明实施例中， 可以将 振荡器本体电路设置于第一真空密闭金属腔内部， 以避免散热。

　　18、。 为实现恒温晶体振荡器 可以在电子设备中正常使用， 可以将第一振荡器输出引脚由第一真空密闭金属腔内部延伸 至第一真空密闭金属腔外部， 能够保证恒温晶体振荡器的正常工作， 同时避免恒温晶体振 荡器大量散热， 造成恒温晶体振荡器保持恒定温度时需要消耗较大的功耗。 0032 在本发明实施例中， 第一线以及第一金属底座122通过电阻焊真空封壳的方式形成第一线， 以使振荡器本体电路处于线 其中， 电阻焊真空封壳是指将第一线内部的空气抽空后， 通过电 阻焊将第。

　　19、一金属外壳121以及第一金属底座122进行密封焊接， 可以使恒温晶体振荡器内部 形成第一线， 使振荡器本体电路处于真空环境中， 能够尽可能的防止热量通过空气 散发到外部环境中， 增大恒温晶体振荡器温度的稳定性， 减少恒温所需的功耗。 0034 电阻焊是指利用电流通过焊件及接触处产生的电阻热作为热源将焊件局部加热， 同时加压进行焊接的方法， 通过电阻焊可以使金属结合。 在本发明实施例中， 通过电阻焊使 第一金属外壳121以及第一金属底座122进行密封焊接， 可以使第一金属外壳121以及第一 金属底座122金属结合， 从而能够避免空气渗入， 可以保持第一金属外壳121以及第一金属 底座1。

　　20、22所形成的第一线内部保持真空环境， 能够尽可能的防止热量通过空气散发 到外部环境中， 增大恒温晶体振荡器温度的稳定性， 减少恒温所需的功耗。 0035 在本发明实施例中， 第一振荡器输出引脚110贯穿第一金属底座122设置， 振荡器 本体电路通过与第一振荡器输出引脚110相连， 固定设置于第一金属底座122的上部。 0036 其中， 为了使恒温晶体振荡器中的振荡器本体电路保持恒定温度， 同时， 恒温晶体 振荡器可以正常工作， 可以将第一振荡器输出引脚110贯穿第一金属底座122设置， 可以避 免第一振荡器输出引脚110造成空气渗入； 可以将振荡器本体电路通过与第一振荡器输出 引脚1。

　　21、10相连， 固定设置于第一金属底座122的上部， 能保持振荡器本体电路处于线 本发明实施例的技术方案， 通过在恒温晶体振荡器中配置振荡器本体电路、 振荡 器输出引脚以及第一真空密闭金属腔， 振荡器本体电路与第一振荡器输出引脚电连接； 振 荡器本体电路设置于第一真空密闭金属腔内部， 第一振荡器输出引脚由第一真空密闭金属 腔内部延伸至第一真空密闭金属腔外部； 其中， 第一真空密闭金属腔包括第一金属外壳以 及第一金属底座， 第一金属外壳以及第一金属底座通过电阻焊真空封壳的方式形成第一真 空密闭金属腔， 以使振荡器本体电。

　　22、路处于真空环境中； 第一振荡器输出引脚贯穿第一金属 底座设置， 振荡器本体电路通过与第一振荡器输出引脚相连， 固定设置于第一金属底座的 上部， 解决了恒温晶体振荡器保持恒温时功耗大的问题， 通过电阻焊真空封壳的方式形成 真空密闭金属腔， 使热量无法通过空气耗散， 实现了降低恒温所需的功耗， 保证振荡器的气 密性， 增长使用寿命的效果。 0038 图2是本发明实施例提供的一种恒温晶体振荡器的分解结构示意图。 参考图2， 在 本发明实施例的一个具体实施方式中， 可选的， 振荡器本体电路包括： 晶体101、 PCB电路板 102以及加热元件103； PCB电路板上设置有晶体振荡基础电路和控温基础电路。

　　23、(图2中未具 体示出)； 晶体101与晶体振荡基础电路电连接形成晶体振荡电路， 加热元件103与控温基础 电路电连接形成控温电路； 晶体振荡电路， 用于产生设定频率的振荡信号； 控温电路， 用于 产生热量以控制晶体101温度恒定为设定温度值。 0039 其中， 晶体振荡电路用于使晶体101工作， 产生设定频率的振荡信号， 例如时钟信 号等。 控温电路可以通过加热元件103为晶体101进行加热， 使晶体101温度恒定为设定温度 值， 保持较高的稳定性以及准确性。 控温电路可以通过加热元件103为晶体101进行加热时， 需要消耗一定的功率。 在本发明实施例中， 将第一金属外壳以及第一金属底座通过电。

　　24、阻焊 真空封壳的方式形成第一真空密闭金属腔， 以使振荡器本体电路处于真空环境中， 可以使 晶体101温度容易稳定， 热量不会通过空气的热对流传导到第一真空密闭金属腔外部， 从而 可以减少控温电路通过加热元件103为晶体101进行加热时所需的功耗。 0040 在上述实施方式的基础上， 在本发明实施例中为了实现对晶体101快速加热， 达到 设定温度， 如图2所示， 可以将晶体101紧贴于PCB电路板102下方设置； 加热元件103焊接于 PCB电路板102的上方， 与晶体101正对设置。 加热元件103通过控温电路产生的热量可以直 接作用于晶体101中， 可以使晶体101快速达到设定的恒定温度。 。

　　25、同时， 这样的设置便于晶体 振荡电路和控温电路的设置， 能够尽可能的防止加热元件103产生的热量对晶体振荡电路和控温电 路造成损坏。 0041 为了进一步减少恒温晶体振荡器的热量散发， 在本发明实施例的一个实施方式 中， 可选的， 第一金属外壳121与第一金属底座122的内壁上镀有热辐射反射材料。 0042 其中， 恒温晶体振荡器具有温度会辐射电磁波， 并且恒温晶体振荡器的温度越高， 辐射的总能量就会愈大， 即恒温晶体振荡器会产生热辐射， 热辐射的传播无需任何介质， 是 在真空中唯一的传热方式。 为了避免恒温晶体振荡器中隔绝的热量以热辐射的形式散发到 外部环境， 可以在第一真空密闭金属腔内壁上镀一层热。

　　26、辐射反射材料。 可以将大部分辐射 热反射回恒温晶体振荡器内部， 避免热量散发到外部环境。 0043 在本发明实施例中， 热辐射反射材料， 包括下述其中一项或多项： 铝、 金、 铬、 铂以 及红外线反射材料。 在恒温晶体振荡器的第一真空密闭金属腔内壁上可以镀有相同的热辐 说明书 4/7 页 6 CN 111800106 A 6 射反射材料， 也可以镀有不同的热辐射反射材料。 比如， 第一真空密闭金属腔内壁上可以单 一的采用铝； 也可以在不同的面上采用不用的热辐射反射材料， 如第一金属外壳的内壁上 采用铝， 第一金属底座采用金等。 本发明实施例不做具体限定。 0044 图3是本发明实施例提供的又一。

　　27、恒温晶体振荡器的整体结构示意图， 如图3所示， 在上述实施方式的基础上， 可选的， 恒温晶体振荡器还包括： 第二线以及 第二振荡器输出引脚210。 0045 在本发明实施例中， 第一线设置于第二线的内 部； 第二振荡器输出引脚210由第二线内部延伸至第二线外部； 第二振荡器输出引脚210与第一振荡器输出引脚110对应相连。 0046 需要说明的是， 第一真空密闭金属腔与第二真空密闭金属腔可以是具有相同或相 似的设置。 在实际应用中， 也可以根据需要在第一真空密闭金属腔的内部设置第二真空密 闭金属腔， 原。

　　28、本设置于第一真空密闭金属腔内部的电路、 电子元器件等， 可以设置在第二真 空密闭金属腔的内部。 本发明实施例对此不做具体限定。 本领域技术人员可以受本发明的 启示， 为恒温晶体振荡器设置至少一层由金属外壳和金属底座通过电阻焊真空封壳技术构 成的线 在本发明实施例的一个具体实施方式中， 第一线设置于第二线的内部， 第二线可以比第一线略大， 可 以保证第一线可以完整的放入第二线内部， 不会造成损 坏。 但是， 第二线也不可以设置的太大， 以避免造成。

　　29、恒温晶体振荡器体积 太大， 不便于在电子设备中使用， 同时也能够尽可能的防止恒温晶体振荡器内部空闲区域太大， 而提 高热量散发的几率。 0048 为了实现恒温晶体振荡器的正常工作， 可以在第二线的内部设 置第二振荡器输出引脚210。 第二振荡器输出引脚210由第二线内部延伸 至第二线外部， 可以与第一振荡器输出引脚110的设置相同或类似， 这里 不再赘述。 其中， 第二振荡器输出引脚210与第一振荡器输出引脚110对应相连， 不会更改恒 温晶体振荡器的引脚作用， 便于对恒温晶体振荡器的应用。 0049 在本发明实施例的一个实施方式中， 为了使恒温晶。

　　30、体振荡器中的第一振荡器输出 引脚110与第二振荡器输出引脚210对应相连， 可选的， 恒温晶体振荡器可以包括转换板； 转 换板， 用于转换第一振荡器输出引脚110， 以使第一振荡器输出引脚110与第二振荡器输出 引脚210对应相连。 可以使恒温晶体振荡器内的引脚连接稳定、 可靠、 规整以及美观， 保证恒 温晶体振荡器可以长期使用， 延长常规使用的寿命。 0050 在本发明实施例中， 第二线以及第二金属底座222通过电阻焊真空封壳的方式形成第二线， 以使第一线 其中， 第二金属外壳221以及第二金属底座222之间的电阻焊真空封壳的方式， 可 以是与第一金属外壳121以及第一金属底座122之间的电阻焊真空封壳的方式相同的， 这里 不再赘述。 电阻焊真空封壳的方式可以使第二金属外壳221以及第二金属底座222之间金属 结合， 可以是在第二线内部的空气抽空后进行的电阻焊真空封壳， 可以使 第一线处于真空环境中， 可以进一步避免恒温晶体振荡器的热量通过空 说明书 5/7 页 7 CN 111800106 A 7 气散发至外部环境， 可以减少恒温晶体振荡器的功耗。 0052 为了进一步减少恒温晶体振荡器的热量散发， 。

　　32、在上述实施方式的基础上， 可选的， 第二金属外壳221与第二金属底座222的内壁上镀有热辐射反射材料。 第二金属外壳221与 第二金属底座222的内壁上镀有热辐射反射材料的方式可以是与第一金属外壳121与第一 金属底座122的内壁上镀有热辐射反射材料的方式相同或者类似， 这里不再赘述。 0053 可选的， 热辐射反射材料， 包括下述其中一项或多项： 铝、 金、 铬、 铂以及红外线反 射材料。 第二金属外壳221与第二金属底座222的内壁可以采用相同或者不同的热辐射反射 材料。 第二金属外壳221与第二金属底座222的内壁可以采用与第一金属外壳121与第一金 属底座122的内壁相同的或者不同的热。

　　33、辐射反射材料。 0054 图4是本发明实施例提供的又一恒温晶体振荡器的分解结构示意图， 如图4所示， 恒温晶体振荡器可以包括： 第二金属外壳221(外层金属外壳)、 第一金属外壳121(内层金属 外壳)、 PCB电路板102、 加热元件103、 晶体101、 晶体振荡电路(图4未具体示出)、 控温电路 (图4未具体示出)、 第一金属底座122(内层金属底座)、 转换板230、 以及第二金属底座222 (外层金属底座)。 0055 其中， PCB电路板上面设置有加热元件103， 加热元件103可以焊接在PCB电路板102 上方； PCB电路板下面设置有晶体101， 晶体101可以紧贴在PCB电路。

　　34、板102下方， 晶体101可以 与加热元件103正对。 加热元件103能够最终靠PCB电路板102上的控温电路直接给晶体101加 热， 维持晶体101所需要的恒定温度。 晶体101能够最终靠PCB电路板102上的晶体振荡电路在 设定的恒定温度下产生高精度、 高稳定性的设定频率的振荡信号。 0056 通过电阻焊封壳技术， 将第一金属外壳121(内层金属外壳)与第一金属底座122 (内层金属底座)进行真空焊接， 形成第一真空密闭金属腔， 作为内层壳结构。 可以使PCB电 路板102、 加热元件103、 晶体101、 晶体振荡电路以及控温电路处于真空环境中， 可以避免通 过空气进行热量散发。 可以在第一。

　　35、真空密闭金属腔的内壁上镀一层热辐射反射材料， 可以 进一步避免热量通过热辐射散发。 0057 可以将封装好的内层壳结构下方添加一层转换板230， 再装到第二金属底座222 上， 可以使第一振荡器输出引脚110与第二振荡器输出引脚210对应相连。 在真空环境中， 第 二金属外壳221(外层金属外壳)与第二金属底座222(外层金属底座)采用与内层壳结构相 同的电阻焊封壳方式， 形成第二真空密闭金属腔， 使内层壳结构处于真空环境中， 进一步避 免通过空气进行热量散发。 可以在第二真空密闭金属腔的内壁上也镀一层热辐射反射材 料， 进一步避免热量通过热辐射散发。 0058 通过上述方式， 本发明实施例可。

　　36、以形成两层真空结构的恒温晶体振荡器， 两层内 腔内均没有空气存在； 同时， 恒温晶体振荡器还具有两层的热辐射反射材料的镀层。 晶体 101上的热量无法通过热传导介质空气的热对流散失到外部环境， 能够大大减少热量以热辐射 形式耗散， 可以有效降低恒温晶体振荡器的功耗， 保证恒温晶体振荡器的温度恒定， 提高恒 温晶体振荡器产生的振荡信号的稳定性与精度。 同时， 该恒温晶体振荡器的封装性能好， 可 以保证恒温晶体振荡器的气密性， 可以增长恒温晶体振荡器的长期可靠性和常规使用的寿命。 0059 注意， 上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。 本领域技术人员会理解， 本发明不限于这里所述的特定实施例， 对本。