看数据手册，内部的HSI是由ST出厂时校准过的，但是精度并不高，在0到70℃下误差范围达到 -1.3%到2%，即便是在标准的25℃下，也有 -1.1%到1.8% 的误差（如下图）。

　　对于高波特率的异步串口通讯，或者需要高精度定时的场合（如：需要跑积分算法的时候），用HSI就有隐患，甚至根本达不到设计要求。

　　为了更高的时钟精度，就要用HSE做主时钟源，起码做到30ppm还是很容易的。无源晶振相对便宜一些，要求不是非常高的话也足够了。

　　对于外部无源晶振，需要做一些匹配工作。当然，直接baidu一个原理图，啥也不想，直接照着抄也可以运行。但是这样的设计，批量生产会不会出问题？某些特定环境下会不会崩溃？系统稳定性会不会很低？……都是未知数。这就是给自己的设计埋下隐患，说不定何时就崩了。

　　负载电容就是下图中的CL1、CL2，一般取CL1 = CL2，这两个电容和晶体Q构成三点式电容振荡器。

　　那么要把CL1、CL2跟谁匹配呢？实际上的意思就是跟晶振的参数：LoadCapacitance匹配，简称CL，从晶振的数据手册可以查到，见下图：

　　当然我们大家都知道，在电路板走线上还有寄生电容，连接的芯片输入端也有等效电容，这部分也要考虑进去。从ST手册可以查到，STM32F103的晶振输入电容是5pF，而PCB走线的寄生电容通常能估值3pF到5pF。我们这里就取Cs = 10pF。下面看公式：

　　为了确保晶振能顺利起振，并运行在稳定状态，就得有足够的增益来维持。一般要求就是，单片机的gm比晶振的gmcrit大5倍以上就可以。下面就求一下这个比值，看看是否大于5倍。

　　有了gm = 25mA/V，就要用它跟晶振的最小稳定跨导gmcrit相比较。gmcrit是要我们计算一下的：

　　可见，这个比值是132，远大于5倍的最低要求，所以我们最终选择的晶振是合适的。如果算出来是不合适的，那就要选用更小ESR，更低CL的晶振。其实STM32对于高速晶振的要求不高，但是对于外部低速RTC晶振的要求高一些，选型时要多加留意。

　　驱动电平实际上的意思就是指晶振工作消耗的功率，如果这个功率过大，超过晶振承担接受的能力，则晶振寿命将减少，容易过早失效。晶振的推荐功率，可以在上图（晶振数据手册）中找到，我们最终选择的这个晶振的DL范围是1到500uW，推荐是100uW。如果实际在做的工作功率过大，就串联一个Rext来限制功耗。实际功耗怎么获得？这个得自己用示波器测量，然后带入ESR计算出来。

　　把这个放最后，其实不是因为他没啥用，而是因为ST已经把他集成到芯片里面了，我们不用太多关心这样的一个问题了。这个Rf的作用就是让放大器Vin = Vout，来强制工作在放大区间

　　以上写的4项，对于STM32F103的高速外部晶振，其实主要考虑“1.负载电容计算”就可以了，这个是直接性影响最大的。

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