的晶振均为无源晶振。别的，留意差异外接电容C1和C2（接地电容，对地电容）并不等同于晶振负载电容（CL）。C1和C2是电路板和包含

　　一般情况下，增大无源晶振的外接电容将会使晶振振动频率下降，即偏负向。举例，若无源晶振12MHz的外接电容为18PF，实践输出频率为12.002876MHz。更改外接电容为27PF之后，该晶振的实践输出频率会有所下降，如：11.9998923 MHz。

　　晶振的外接电容越大，晶振的振动越安稳，可是会添加起振时刻，即晶振起振慢，其原理是外接电容会存储更多电荷，即下降电流强度，然后下降电路提供给晶振起振的鼓励功率。

　　当无源晶振的输出波形呈现削峰、畸变时，这一般是因为电流过驱动（over drive）导致，能够测验经过串联一颗电阻处理，电阻值一般在几十kΩ~几百kΩ。假如要安稳波形，则可测验并联一颗1M反应电阻。

　　。给芯片第一次供电，我还没下进程序去呢，它的P1^6和P1^7引脚电压输出就不

　　差异描绘：发动时刻，GD32 与STM32 发动时刻都是2ms，实践上GD 的履行功率快，所以ST 的HSE_STARTUP_TIMEOUT ((uint16_t

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