，一个是跨接在晶振两头，一个接在晶振的输出端，同芯片相连。旁接的电容咱们都知道叫匹配电容，它们的巨细能够改动振动电路的频率，经过试验就能够调查的到。而两个别离串并得电阻各自起到什么效果，其值选多大？

　　微操控器时钟源能够分为两类：根据件的时钟源，如晶振、陶瓷谐振槽路；根据相移电路的时钟源，如：RC （电阻、电容）振动器。硅振动器一般是完全集成的RC振动器，为了进步安稳性，包括有时钟源、匹配电阻和电容、温度补偿等。

　　下图给出了两种时钟源。两种分立的振动器电路，其间图a为皮尔斯振动器装备，用于机械式谐振器材，如晶振和陶瓷谐振槽路。图b为简略的RC反应振动器。

　　举例，一个振动电路在其输出端串接了一个22K的电阻，在其输出端和输入端之间接了一个10M的电阻。

　　电路并联电阻是由于衔接晶振的芯片端内部是一个线性运算放大器，将输入进行反向180度输出，晶振处的负载电容电阻组成的网络供给别的180度的相移，整个环路的相移360度，满意振动的相位条件，一起还要求闭环增益大于等于1，晶体才正常作业。Xin和Xout的内部一般是一个施密特反相器，反相器是不能驱动晶体震动的。因而，在反相器的两头并联一个电阻，由电阻完结将输出的信号反向。电阻的效果是将电路内部的反向器加一个反应回路，构成放大器，当晶体并在其间会使反应回路的沟通等效依照晶体频率谐振，由于晶体的Q值十分高，因而电阻在很大的规模改动都不会影响输出频率，但会影响脉宽比的。

　　晶振输入输出衔接的电阻效果是发生负反应，确保放大器作业在高增益的线性区，一般在M欧级，KHz晶振电路，并联电阻一般为10M欧，MHz晶振，并联电容一般为1M欧左右。

　　电路串联电阻常用来防备晶振被过火驱动。晶振过火驱动的结果是将逐步损耗削减晶振的触摸电镀，这将引起频率的上升，并导致晶振的前期失效，又能够讲drive level调整用。用来调整drive level和发振余裕度。

　　电阻Rs常用来避免晶振被过火驱动。过火驱动晶振会逐渐损耗削减晶振的触摸电镀，这将引起频率的上升。可用一台OSC输出脚，假如检测一十分明晰的正弦波，且正弦波的上限值和下限值都契合时钟输入需求，则晶振未被过火驱动；相反，假如正弦波形的波峰，波谷两头被削平，而使波构成为方形，则晶振被过火驱动。这时就需求用电阻Rs来避免晶振被过火驱动。判别电阻Rs值巨细的最简略的办法便是串联一个5k或10k的微调电阻，从0开端渐渐调高，一直到正弦波不再被削平停止。经过此办法就能够找到最挨近的电阻Rs值。

　　输出端串联电阻与负载电容组成网络，供给180度相移，一起起到限流的效果，避免反向器输出对晶振过驱动，损坏晶振。其值的巨细一般为几百K 欧姆较多，详细巨细需求经过调试，根据过驱程度去选定串接多大电阻。

　　振动器是一种能量转换器，石英谐振器是运用石英晶体谐振器决议作业频率，与LC谐振回路比较，它具有很高的规范性和极高的质量因数，，具有较高的频率安稳度，选用高精度和稳频办法后，石英晶体振动器能够到达10-4~10-11安稳度。

　　底子功用首要是起振动效果，可运用其对某频率具有的呼应效果，用来滤波、选频网络等，石英谐振器相当于RLC振动电路。

　　石英晶体俗称水晶，是一种化学成分为二氧化硅（SiO2）的六角锥形结晶体，比较坚固。它有三个彼此笔直的轴，且各向异性：纵向Z轴称为光轴，经过六棱柱棱线并笔直于Z轴的X轴称为电轴，与X轴和Z轴一起笔直的Y轴（笔直于棱面）称为机械轴

　　石英晶体之所以能够作为谐振器，是由于它具有正（机械能→电能）、反（电能→机械能）压电效应。沿石英晶片的电轴或机械轴施加压力，则在晶片的电轴阳奉阴违个外表发生正、负电荷，呈现出电压，其巨细与所加力发生的形变成正比；若施加张力，则发生反向电压，这种现象称为正电效应。当沿石英晶片的电轴方向加电场，则晶片在电轴和机械轴方向将延伸或紧缩，发生形变，这种现象称为反压电效应。因而，在晶体阳奉阴违端加上沟通电压时，晶片会随电压的改动发生机械振动，机械振动又会在晶片内外表发生交变电荷。由于晶体是有弹性的固体，关于某一振动办法，有一个固有的机械谐振频率。当外加沟通电压等于晶片的固有机械谐振频率时，晶片的机械振动起伏最大，流过晶片的电流最大，发生了共振现象。石英晶片的共振具有多谐性，即除能够基频共振外，还能够谐频共振，一般把运用晶片的基频共振的谐振器，运用晶片谐频共振的谐振器称为泛音谐振器，一般能运用的是3、5、7之类的奇次泛音。晶片的振动频率与厚度成反比，作业频率越高，要求晶片越薄（尺度越大，频率越低），这样的晶片其机械强度就越差，加工越困难，并且简单振碎，因而在作业频率较高经常选用泛音晶体。一般地，在作业频率小于20MHZ时选用基频晶体，在作业频率大于20MHZ时选用泛音晶体。

　　若在石英晶体的两个电极上加一电场，晶片就会发生机械变形。反之，若在晶片的两边施加机械压力，则在晶片相应的方向大将发生电场，这种物理现象称为压电效应。假如在晶片的南北极上加交变电压，晶片就会发生机械振动，一起晶片的机械振动又会发生交变电场。在一般状况下，晶片机械振动的振幅和交变电场的振幅十分细小，但当外加交变电压的频率为某一特定值时，振幅显着加大，比其他频率下的振幅大得多，这种现象称为压电谐振，它与LC回路的谐振现象十分相似。它的谐振频率与晶片的切开办法、几许形状、尺度等有关。

　　晶振的效果一句话简略说便是：挑选频率，让跟自己固有频率持平的和挨近的振动荡起来。

　　关于一个高可靠性的体系规划，晶体的挑选十分重要，特别规划带有睡觉唤醒（往往用低电压以求低功耗）的体系。这是由于低供电电压使供给给晶体的鼓励功率削减，构成晶体起振很慢或底子就不能起振。这一现象在上电复位时并不特别显着，原因时上电时电路有满意的扰动，很简单树立振动。在睡觉唤醒时，电路的扰动要比上电时小得多，起振变得很不简单。在振动回路中，晶体既不能过鼓励（简单振到高次谐波上）也不能欠鼓励（不简单起振）。晶体的挑选至少有必要考虑：谐振频点，负载电容，鼓励功率，温度特性，长时刻安稳性。

　　1.匹配电容-----负载电容是指晶振要正常震动所需求的电容。一般外接电容，是为了使晶振两头的等效电容等于或挨近负载电容。要求高的场合还要考虑ic输入端的对地电容。一般晶振两头所接电容是所要求的负载电容的两倍。这样并联起来就挨近负载电容了。

　　2.负载电容是指在电路中跨接晶体两头的总的外界有用电容。他是一个测验条件，也是一个运用条件。运用时一般在给出负载电容值邻近调整能够得到准确频率。此电容的巨细首要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻。

　　3.一般状况下，增大负载电容会使振动频率下降，而减小负载电容会使振动频率升高。

　　4.负载电容是指晶振的两条引线衔接IC块内部及外部一切有用电容之和，可看作晶振片在电路中串接电容。负载频率不同决议振动器的振动频率不同。标称频率相同的晶振，负载电容不必定相同。由于石英晶体振动器有两个谐振频率，一个是串联揩振晶振的低负载电容晶 振：另一个为并联揩振晶振的高负载电容晶振。所以，标称频率相同的晶振交换时还有必要要求负载电容一至，不能冒然交换，不然会构成电器作业不正常。

　　石英晶体振动器是高精度和高安稳度的振动器，被广泛运用于彩电、计算机、遥控器等各类振动电路中，以及通讯体系中用于频率发生器、为数据处理设备发生时钟信号和为特定体系供给基准信号。

　　石英晶体振动器是运用石英晶体（二氧化硅的结晶体）的压电效应制成的一种谐振器材，它的底子构成大致是：从一块石英晶体上按必定方位角切下薄片（简 称为晶片，它能够是正方形、矩形或圆形等），在它的两个对应面上涂敷银层作为电极，在每个电极上各焊一根引线接到管脚上，再加上封装外壳就构成了石英晶体 谐振器，简称为石英晶体或晶体、晶振。其产品一般用金属外壳封装，也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。

　　若在石英晶体的两个电极上加一电场，晶片就会发生机械变形。反之，若在晶片的两边施加机械压力，则在晶片相应的方向大将发生电场，这种物理现象称为 压电效应。假如在晶片的南北极上加交变电压，晶片就会发生机械振动，一起晶片的机械振动又会发生交变电场。在一般状况下，晶片机械振动的振幅和交变电场的振 幅十分细小，但当外加交变电压的频率为某一特定值时，振幅显着加大，比其他频率下的振幅大得多，这种现象称为压电谐振，它与LC回路的谐振现象十分相似。它的谐振频率与晶片的切开办法、几许形状、尺度等有关。

　　当晶体不振动时，可把它当作一个平板电容器称为静电电容C，它的巨细与晶片的几许尺度、电极面积有关，一般约几个PF到几十PF。当晶体振动时，机 械振动的惯性可用电感L来等效。一般L的值为几十mH 到几百mH。晶片的弹性可用电容C来等效，C的值很小，一般只需0.0002～0.1pF。晶片振动时因冲突而构成的损耗用R来等效，它的数值约为 100Ω。由于晶片的等效电感很大，而C很小，R也小，因而回路的质量因数Q很大，可达1000～10000。加上晶片自身的谐振频率底子上只与晶片的切 割办法、几许形状、尺度有关，并且能够做得准确，因而运用石英谐振器组成的振动电路可获得很高的频率安稳度。

　　从石英晶体谐振器的等效电路可知，它有两个谐振频率，即（1）当L、C、R支路发生串联谐振时，它的等效阻抗最小（等于R）。串联揩振频率用fs表 示，石英晶体关于串联揩振频率fs呈纯阻性，（2）当频率高于fs时L、C、R支路呈理性，可与电容C。发生并联谐振，其并联频率用fd表明。

　　根据石英晶体的等效电路，可定性画出它的电抗—频率特性曲线。可见当频率低于串联谐振频率fs或许频率高于并联揩振频率fd时，石英晶体呈容性。仅在fs

　　石英晶体振动器是由质量要素极高的石英晶体振子（即谐振器和振动电路组成。晶体的质量、切开取向、晶体振子的结构及电路方法等，一起决议振动器的性 能。国际电工委员会（IEC）将石英晶体振动器分为4类：一般晶体振动（TCXO），电压操控式晶体振动器（VCXO），温度补偿式晶体振动 （TCXO），恒温操控式晶体振动（OCXO）。现在开展中的还有数字补偿式晶体损振动（DCXO）等。

　　一般晶体振动器（SPXO）可发生10^（-5）～10^（-4）量级的频率精度，规范频率1—100MHZ，频率安稳度是±100ppm。SPXO没有选用任何温度频率补偿办法，价格低廉，一般用作微处理器的时钟器材。封装尺度规模从21×14×6mm及5×3.2×1.5mm。

　　电压操控式晶体振动器（VCXO）的精度是10^（-6）～10^（-5）量级，频率规模1~30MHz。低容差振动器的频率安稳度是±50ppm。一般用于锁相环路。封装尺度14×10×3mm。

　　温度补偿式晶体振动器（TCXO）选用温度灵敏器材进行温度频率补偿，频率精度到达10^（-7）～10^（-6）量级，频率规模1—60MHz， 频率安稳度为±1～±2.5ppm，封装尺度从30×30×15mm至11.4×9.6×3.9mm。一般用于手持电话、蜂窝电话、双向无线通讯设备等。

　　恒温操控式晶体振动器（OCXO）将晶体和振动电路置于恒温箱中，以消除环境温度改动对频率的影响。OCXO频率精度是10^（-10）至10^（-8）量级，对某些特别运用乃至到达更高。频率安稳度在四种类型振动器中最高。

　　晶振的首要参数有标称频率，负载电容、频率精度、频率安稳度等。不同的晶振标称频率不同，标称频率大都标明在晶振外壳上。如常用一般晶振标称频率 有：48kHz、500 kHz、503.5 kHz、1MHz～40.50 MHz等，关于特别要求的晶振频率可到达1000 MHz以上，也有的没有标称频率，如CRB、ZTB、Ja等系列。负载电容是指晶振的两条引线衔接IC块内部及外部一切有用电容之和，可看作晶振片在电路 中串接电容。负载频率不同决议振动器的振动频率不同。标称频率相同的晶振，负载电容不必定相同。由于石英晶体振动器有两个谐振频率，一个是串联揩振晶振的 低负载电容晶振：另一个为并联揩振晶振的高负载电容晶振。所以，标称频率相同的晶振交换时还有必要要求负载电容一至，不能冒然交换，不然会构成电器作业不正 常。频率精度和频率安稳度：由于一般晶振的功用底子都能到达一般电器的要求，关于高级设备还需求有必定的频率精度和频率安稳度。频率精度从10^（-4） 量级到10^（-10）量级不等。安稳度从±1到±100ppm不等。这要根据详细的设备需求而挑选适宜的晶振，如通讯网络，无线数据传输等体系就需求更 高要求的石英晶体振动器。因而，晶振的参数决议了晶振的质量和功用。在实践运用中要根据详细要求挑选恰当的晶振，因不同功用的晶振其价格不同，要求越高价 格也越贵，一般挑选只需满意要求即可。

　　1、小型化、薄片化和片式化：为满意移动电话为代表的便携式产品轻、薄、矮小的要求，石英晶体振动器的封装由传统的裸金属外壳覆塑料金属向陶瓷封装 改动。例如TCXO这类器材的体积缩小了30～100倍。选用SMD封装的TCXO厚度缺乏2mm，现在5×3mm尺度的器材现已上市。

　　2、高精度与高安稳度，现在无补偿式晶体振动器总精度也能到达±25ppm，VCXO的频率安稳度在10～7℃规模内一般可达±20～100ppm，而OCXO在同一温度规模内频率安稳度一般为±0.0001～5ppm，VCXO操控在±25ppm以下。

　　3、低噪声，高频化，在GPS通讯体系中是不允许频率哆嗦的，相位噪声是表征振动器频率哆嗦的一个重要参数。现在OCXO主流产品的相位噪声功用有 很大改进。除VCXO外，其它类型的晶体振动器最高输出频率不超越200MHz。例如用于GSM等移动电线系列压控振动器，其频率为 650～1700 MHz，电源电压2.2～3.3V，作业电流8～10mA。

　　4、低功用，快速发动，低电压作业，低电平驱动和低电流耗费已成为一个趋势。电源电压一般为3.3V。现在许多TCXO和VCXO产品，电流损耗不 超越2 mA。石英晶体振动器的快速发动技能也获得突破性开展。例如日本精工出产的VG—2320SC型VCXO，在±0.1ppm规则值规模条件下，频率安稳时 间小于4ms。日本东京陶瓷公司出产的SMD TCXO，在振动发动4ms后则可到达额定值的90%。OAK公司的10～25 MHz的OCXO产品，在预热5分钟后，则能到达±0.01 ppm的安稳度。

　　不论是旧式石英钟或是新式多功用石英钟都是以石英晶体振动器为中心电路，其频率精度决议了电子钟 表的走时精度。从石英晶体振动器原理的暗示图中，其间V1和V2构成CMOS反相器石英晶体Q与振动电容C1及微调电容C2构成振动体系，这儿石英晶体相 当于电感。振动体系的元件参数确认了振频率。一般Q、C1及C2均为外接元件。别的R1为反应电阻，R2为振动的安稳电阻，它们都集成在电路内部。故无法 经过改动C1或C2的数值来调整走时精度。但此刻咱们仍可用加接一只电容C有办法，来改动振动体系参数，以调整走时精度。根据电子挂钟走时的快慢，调整电 容有两种接法：若走时偏快，则可在石英晶体两头并接电容C，如图4所示。此刻体系总电容加大，振动频率变低，走时减慢。若走时偏慢，则可在晶体支路中串接 电容C。如图5所示。此刻体系的总电容减小，振动频率变高，走时增快。只需经过耐性的重复试验，就能够调整走时精度。因而，晶振可用于时钟信号发生器。

　　2、跟着电视技能的开展，近来彩电多选用500kHz或503 kHz的晶体振动器作为行、场电路的振动源，经1/3的分频得到 15625Hz的行频，其安稳性和可靠性大为进步。面且晶振价格便宜，替换简单。

　　3、在通讯体系产品中，石英晶体振动器的价值得到了更广泛的表现，一起也得到了更快的开展。许多高功用的石英晶振首要运用于通讯网络、无线数据传输、高速数字数据传输等

　　晶体元件的负载电容是指在电路中跨接晶体两头的总的外界有用电容。是指晶振要正常震动所需求的电容。一般外接电容，是为了使晶振两头的等效电容等于 或挨近负载电容。要求高的场合还要考虑ic输入端的对地电容。运用时一般在给出负载电容值邻近调整能够得到准确频率。此电容的巨细首要影响负载谐振频率和 等效负载谐振电阻。

　　晶振的负载电容=［（Cd*Cg）/（Cd+Cg）］+Cic+△C式中Cd，Cg为别离接在晶振的两个脚上和对地的电容，Cic（集成电路内部电容）+△C（PCB上电容）。便是说负载电容15pf的线pf的差不多了，一般a为6.5～13.5pF

　　各种逻辑芯片的晶振引脚能够等效为电容三点式振动器。 晶振引脚的内部一般是一个反相器， 或许是奇数个反相器串联。 在晶振输出引脚 XO 和晶振输入引脚 XI 之间用一个电阻衔接， 关于 CMOS 芯片一般是数 M 到数十 M 欧之间。 许多芯片的引脚内部现已包括了这个电阻， 引脚外部就不必接了。 这个电阻是为了使反相器在振动初始时处与线性状况， 反相器就如同一个有很大增益的放大器， 以便于起振。 石英晶体也衔接在晶振引脚的输入和输出之间， 等效为一个并联谐振回路， 振动频率应该是石英晶体的并联谐振频率。 晶体周围的两个电容接地， 实践上便是电容三点式电路的分压电容， 接地址便是分压点。 以接地址即分压点为参阅点， 振动引脚的输入和输出是反相的， 但从并联谐振回路即石英晶体两头来看， 构成一个正反应以确保电路继续振动。 在芯片规划时， 这两个电容就现已构成了， 一般是两个的容量持平， 容量巨细依工艺和地图而不同， 但终归是比较小， 不必定适宜很宽的频率规模。 外接时大约是数 PF 到数十 PF， 依频率和石英晶体的特性而定。 需求留意的是： 这两个电容串联的值是并联在谐振回路上的， 会影响振动频率。 当两个电容量持平时， 反应系数是 0.5， 一般是能够满意振动条件的， 但假如不易起振或振动不安稳能够减小输入端对地电容量， 而添加输出端的值以进步反应量。

　　使晶振、外部电容器（假如有）与 IC之间的信号线尽或许坚持最短。当十分低的电流经过IC晶振振动器时，假如线路太长，会使它对EMCESD与串扰发生十分灵敏的影响。并且长线路还会给振动器添加寄生电容。

　　假如实践的负载电容装备不妥，榜首会引起线路参阅频率的差错。别的如在发射接纳电路上会使晶振的振动起伏下降（不在峰点），影响混频信号的信号强度与信噪。

　　当波形呈现削峰，畸变时，可添加负载电阻调整（几十K到几百K）。要安稳波形是并联一个1M左右的反应电阻。

　　1，在压封时，晶体内部要求抽真空充氮气，假如发生压封不良，即石英晶体的密封性欠好时，在酒精加压的条件下，其表现为漏气，称之为双漏，也会导致停振，

　　2，由于芯片自身的厚度很薄，当鼓励功率过大时，会使内部石英芯片破损，导致停振；

　　3，在焊锡时，当锡丝透过线路板上小孔渗过，导致引脚跟外壳衔接在一块，或是晶体在制作过程中，基座上引脚的锡点和外壳相衔接发生单漏，都会构成短路，然后引起停振；

　　4，由于石英晶体在剪脚和焊锡的时分简单发生机械应力和热应力，而焊锡温度过高和效果时刻太长都会影响到晶体，简单导致晶体处于临界状况，以致呈现时振时不振现象，乃至停振；

　　5，有功负载会下降Q值（即质量要素），然后使晶体的安稳性下降，简单受周边有源组件影响，处于不安稳状况，呈现时振时不振现象；

　　6，当石英晶体频率发生频率漂移，且超出石英晶体频率差错规模过多时，以致于捕捉不到石英晶体的中心频率，然后导致芯片不起振。

　　1，严厉依照技能要求的规则，对石英晶体组件进行检漏试验以查看其密封性，及时处理不良品并剖析原因；

　　2，压封工序是将调好的谐振件在氮气维护中与外壳封装起来，以安稳石英晶体谐振器的

　　功用。在此工序应坚持送料仓、压封仓和出料仓洁净，压封仓要接连冲氮气，并在压封过程中留意焊头磨损状况及模具方位，电压、气压和氮气流量是否正常，不然及时处理。其质量规范为：无伤痕、毛刺、顶坑、弯腿，压印对称不可倾斜。3，由于石英晶体是被迫组件，它是由IC供给恰当的鼓励功率而正常作业的，因而，当鼓励功率过低时，晶体不易起振，过高时，便构成过鼓励，使石英芯片破损，引起停振。所以，应供给恰当的鼓励功率。别的，有功负载会耗费必定的功率，然后下降晶体Q值，然后使晶体的安稳性下降，简单受周边有源组件影响，处于不安稳状况，呈现时振时不振现象，所以，外加有功负载时，应匹配一个比较适宜有功负载。

　　4，操控好剪脚和焊锡工序，并确保基座绝缘功用和引脚质量，引脚镀层亮光均匀无麻面，无变形、裂缝、变色、划伤、污迹及镀层脱落。为了更好地避免单漏，能够在晶体下加一个绝缘垫片。

　　5，当晶体发生频率漂移并且超出频差规模时，应查看是否匹配了适宜的负载电容，能够经过调理晶体的负载电容来处理。

　　上求助类似于“求高手点拨！RTC晶振不起振怎么办”的问题，而其答案底子能够归纳为“这次高手帮不了你了”更有诡计论者提出让人啼笑皆非的解说——

　　的RTC晶振不起振是ST与晶振厂商勾结后成心搞出来的，意图是进步某晶振厂商高端晶振的销量。。。最近做的几块板子也用到了STM32的RTC，前后两版总共做了大约6片，走运的是并未遇到晶振不起振的现象。而我选用的是3毛钱一个的一般晶振，并未选用传说中低负载高精度晶振。。。后来在别的一片试验性质的板子上初次遇到了晶振不起振的问题，并且做了2片都不起振，这才让我意识到这个问题的严重性。

　　从上述现象来看，我以为对RTC晶振起振影响最大的要素应该是PCB的布线。可是遇到问题时一般是PCB已做好，乃至现已做了几百块，没有回头路了。所以咱们更重视的问题好像便是“怎么弥补”了。在网上查找一下，你就会发现国际是如此夸姣！每个人的经历和主张都不相同，乃至是完全相反的！这种现象告知咱们，除了PCB布线，对晶振起振影响最大的好像不是电气参数，而是别的一种不可疏忽的要素——人品！

　　各种彼此对立的经历也告知咱们，导致晶振不起振的原因是多种多样的，也是因“人”而异的。或许，咱们无法找到一个肯定有用的经历一举处理STM32的RTC晶振这个让人头疼的问题，但咱们能够从各种经历中找到一些头绪，为终究摸索到适宜自己这块板子的处理计划供给一些协助和提示。

　　假如晶振不起振，特别是你现已运用了传说中的爱普生6pF晶振后仍是不可，或许你应该测验对以下几个方面排列组合，找到适宜你这块板子的，更简单起振的办法。

　　和负载电容咱们形似都知道要用6pF的晶振，但我发现其实12.5pF的也能够用。咱们都说KDS日本原装的好，我那个3毛钱的国产晶振形似也没啥大问题。。。

　　有人说6pF的晶振要配6pF的电容。但有经历公式指出这个电容的值应该是晶振自身负载电容的两倍，6pF的晶振应该配10pF的匹配电容，当然12.5pF的就应该配20pF或许22pF的电容了~电容值不匹配或许构成晶振不起振。更奇特的是，有人指出去掉外接的匹配电容会使晶振起振！这好像没啥道理，但在我的板子上，有且仅有这个计划是可行的！！！

　　晶振能够并联一个高阻值的电阻，听说这样更简单起振。。。这个电阻的阻值有人说是1MΩ，有人说是5MΩ，也有人说是10MΩ，，，当然也有人说不能并联这个电阻，并联了反而不起振

　　这种做法是官方的运用笔记指出的，并且给出了这个电阻的计算公式。对这个电阻的的必要性也是议论纷纷，相同存在两种对立的说法，即有必要要有这电阻，不然不起振。还有一说不能有这个电阻，不然不起振。。。从官方的运用笔记来看，这个电阻的首要效果是维护晶振，以防晶振发热。由此看来这个这个电阻好像并非影响晶振起振的首要要素，乃至或许让晶振更难起振。

　　这个就不必说了吧。。。晶振的外壳是金属的，做封装时能够把那个焊盘做成机械焊盘而悬空，也能够做成电气焊盘，然后衔接到GND。对这个说法相同存在争议，有人说外壳有必要接地，也有人说接地后反而不起振。

　　这种说法是有必定道理的，由于RTC部分是由Vbat的来供电的。有人说Vbat引脚对电源质量要求比较高，假如纹波较大或许会影响晶振的起振。更有人说反而需求一些噪声，鼓励晶振发生正反应然后顺畅起振（自己对此表明呵呵）。。。但不管怎样，进步电源质量对咱们都是功德~

　　有人指出应该细心清洗RTC晶振周围的电路，乃至是运用环氧树脂胶将晶振密封起来。这种说法得到了一些人的支撑，看来也是有相当多的现实根据。

　　有人以为长时刻加热晶振进行焊接会对晶振自身带来影响，却不是完全损坏晶振，然后使得晶振不简单起振。。。这种说法我没验证过，个人表明置疑。。。

　　这个种说法感觉就更不靠谱了，但真的有人在晶振引脚上多加了点焊锡晶振就能起振了。从原理上说，多加点焊锡的确会改动晶振和PCB间的寄生参数，但我感觉影响微乎其微。。。或许晶振现已徜徉在临界值的边际了，这种做法才会起到一点效果。

　　个人以为这是一了百了处理晶振不起振问题的不二法门！有人对STM32的RTC晶振不易起振的原因做了一个解说，即出于低功耗的考虑，STM32对晶振的驱动功率比较低，所谓“好鼓不必重锤”，一些差的晶振就需求更高的驱动功率，所以不易起振。我以为这种解说是有道理的。运用有源晶振则不存在驱动功率的问题，假如问题的确是由于驱动功率构成的，那运用有源晶振毫无疑问能够完全处理问题。并且现在网上还没看到说有源晶振不起振的求助帖。可是有源晶振一般比较贵重，乃至要比一颗外置的RTC芯片还要贵。至于这个问题的取舍，就要看各位看官自己的主意了。

　　是一种将电能和机械能彼此转化的压电器材，能量的改动发生在共振频率点上。石英

　　，例如现代电视，电脑计算机等。除了用于通讯体系的频率发生器，用于数据处理设备的时钟信号，并为特定体系供给参阅信号。具有高质量因数的石英

　　）的压电效应制成的谐振器材。 其底子结构如下：在必定方位角（称为晶圆，能够是方形，矩形或圆形）切片一块石英

　　，都没有很深化地去进行理论剖析。而别的一方面，许多 爱好者都直接疏忽了

　　必然会存在必定规模的差错，问题是怎么了解这个差错规模，并将差错值操控在最小的规模以内。

　　的作业频率越高，晶片越薄，其机械强度变差，因而，作业频率高于20MHZ时，一般选用泛音

　　中，虽然采纳各种稳频措族，其频率安稳仅能到达10负4次方~10负5次方量级。假如要求频率安稳度